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深圳诚为通电子有限公司
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产品信息
5N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术，这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快的开光技术，极低栅电荷，化导通电阻以及极强的雪崩击穿特性，这种器件非常适合于高效开光电源，DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
1特性
4.5A, 600V RDS(on)=2.4Ω
极低栅电荷，典型15nC
极低反向转换电容；典型6.5pF
快速开关能力
增强的dv/di能力
100％雪崩击穿测试
封装型式 TO-220F
结温 150℃
1特性
4.5A, 600V RDS(on)=2.4Ω
极低栅电荷，典型15nC
极低反向转换电容；典型6.5pF
快速开关能力
增强的dv/di能力
100％雪崩击穿测试
封装型式 TO-220F
结温 150℃